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IRFH5306PbF
100
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.9V
2.7V
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.9V
2.7V
10
1
2.7V
2.7V
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.8
TJ = 150°C
1.6
1.4
ID = 15A
VGS = 10V
10
TJ = 25°C
1.2
1.0
1.0
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.8
0.6
1
2
3
4
5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14.0
12.0
10.0
ID= 15A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
8.0
100
10
Crss
6.0
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 20, 2014
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